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K9F5608UOD-PCBO手机用存储芯片主图

K9F5608UOD-PCBO手机用存储芯片参数

制造商IC编号K9F5608UOD-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F5608UOD-PCBO手机用存储芯片相关信息

“芯片制造过程依赖于设备，而 AMAT，LAM，KLA 和 Teradyne 等美国公司在许多利基市场拥有非常高的市场份额，”光大写道。“中国没有生产线可以在仅使用中国设备的情况下实现芯片生产，因此制造没有用到美国设备的芯片组会非常困难。”

但报道进一步指出，就算中国芯片制造商确实拥有美国，日本和欧洲芯片设备公司的设备，他们也无法始终充分利用。

中国的芯片生产公司中芯国际（SMIC）的一位前工程师表示，设备供应商通常与台湾半导体制造公司（TSMC）签订保密协议（TSMC），后者是芯片制造领域的。他表示，先进芯片的制造过程需要大量的微调，而 NDAs 涵盖了如何地使用机器并达到必要水平的“良率”或每批次工作芯片的关键技巧和窍门。

“设备供应商全部全部遵循台积电的 NDA，”工程师说。“如果中芯国际要求供应商提供指示，供应商为了表示诚意，只会披露有关指令的非常基本的信息。”他说。

台积电发言人也表示：“台积电一直在努力保护我们的商业机密，包括与我们的同行签署新 NDAs 。”

业内表示，即使拥有的设备，中芯国际仍然落后台积电两代。台积电在 2018 年推出的电路宽度仅为 7 纳米的芯片，但中芯国际目前才在准备生产 14 纳米芯片，而台积电在 2014 年就推出了这个技术。

华为使用 TSMC 的晶圆厂用于大部分先进的芯片组制造，而中芯国际的产险则用于低端产品的生产。一位前华为员工表示，该公司选择台积电而不是中芯国际作为其服务器芯片的代工厂商，因为其半导体部门海思本身设计的是一个 7 纳米技术的芯片。从技术上将，我们可以面向中芯国际的工艺重新设计，但这会导致芯片质量的下降。